ROHM desarrolló sus MOSFET de SiC de quinta generación bajo la marca EcoSiC, que ofrecen aproximadamente un 30 % menos de resistencia durante el funcionamiento a alta temperatura que sus dispositivos de cuarta generación. La comparación es con el voltaje de ruptura equivalente y el tamaño del chip a Tj=175°C, lo que significa que la reducción proviene de la mejora estructural y la optimización del proceso de fabricación, no del escalamiento de la geometría.
La baja resistencia a altas temperaturas de funcionamiento es importante para el diseño del inversor de tracción directa. La resistencia de los MOSFET de SiC aumenta con la temperatura y los dispositivos se calientan más bajo carga máxima, exactamente cuando las pérdidas son más críticas. Una reducción del 30 % a Tj=175 °C significa menos pérdida de conducción por ciclo de conmutación, lo que admite empaques más pequeños o una mayor salida continua o alguna combinación de ambos desde la misma área del chip.
Las aplicaciones objetivo incluyen inversores de tracción xEV, OBC, convertidores CC-CC y compresores eléctricos. La cuarta generación de ROHM, que comenzó a probarse en junio de 2020, ha sido ampliamente adoptada en aplicaciones industriales y automotrices; La quinta generación se dirige a los mismos segmentos con una eficiencia mejorada a alta temperatura. ROHM dice que comenzó la producción en masa de los primeros MOSFET de SiC del mundo en 2010.
ROHM ha estado enviando matrices desnudas de quinta generación desde 2025 y completó el desarrollo completo del dispositivo en marzo de 2026. El muestreo de módulos y dispositivos discretos está programado para julio de 2026, con voltaje de ruptura adicional y opciones de paquete planificadas.
Fuente: Semiconductor ROHM
